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铜氧化物薄膜
铜氧化物薄膜

铜氧化物超导体突破了基于电子-声子耦合的BCS理论预测的超导转变温度的极限,揭开了超导领域的新篇章。根据掺杂元素的价态,铜氧化物超导体可分为电子掺杂型和空穴掺杂型。由于电子掺杂的铜氧化物种类较少且合成工艺复杂,迄今为止,人们对电子掺杂铜氧化物的研究较少。然而,研究电子掺杂铜氧化物的性质对于探索高温超导体的机理是必不可少的。我们课题组通过高分子辅助法制备Pr2CuO4±δ(PCO)薄膜、脉冲激光沉积和高通量技术制备La2-xCexCuO4±δ(LCCO)薄膜来研究电子掺杂铜氧化物的物性。

FeSe薄膜
FeSe薄膜

FeSe基超导体在Fe基超导体中具有最为简单的化学成分和晶格结构,但是具有最为丰富的物理性质,其转变温度可以使用多种手段大范围调控,是研究Fe基超导的理想载体。我们课题组能够生长高质量的FeSe薄膜,并能用多种手段对薄膜的超导电性,晶格结构进行调控。

尖晶石氧化物薄膜
尖晶石氧化物薄膜

尖晶石氧化物体系拥有许多新奇的物性,引起了人们的很多关注。目前,已经在LiTi2O4 和MgTi2O4 两种体系中发现了超导电性.它们都属于拥有通式为AB2O4的正尖晶石结构(空间群Fd-3m)。一个晶胞拥有32个氧离子,形成了64个正四面体点位和32个正八面体点位。其中,8个正四面体点位被A离子占据(8a等效点系),16个正八面体点位被B离子占据(16d等效点系)。我们组已经生长出了高质量的LiTi2O4超导薄膜、MgTi2O4单组分超导薄膜和[MgTi2O4/SrTiO3]2超晶格。

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