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主要有脉冲激光器、光学透镜、沉积系统等组成。工作原理是：利用高能脉冲激光作为光源，经过反射镜、聚焦镜使激光聚焦在多晶靶材上，在靶材的光斑处温度迅速升高至烧蚀，以原子、分子和离子等形式垂直靶材射出，沉积在单晶衬底上，形成薄膜。
1、PLD腔体有用于衬底加热器件、靶组件、激光端口、侧视图端口、真空计、原位光学表征和气体入口的法兰端口
2、可拆卸的靶材支架
3、2.2英寸的铬镍铁合金衬底加热器
4、气体流量计
5、气体压力显示
1、基片加热器在真空和反应气氛(O2, NH3)高达760Torr下达到850°C
2、数字显示气体压力，范围1E-8~760Torr
设备编号：combi-HR-1
利用高能脉冲激光，将靶材成分溅射到基片处进行外延生长。在生长过程中利用可移动的掩膜板，能够在一片基片上生长出连续梯度组分薄膜，大大提高了薄膜生长效率，更有利于新材料的探索与物性研究。
利用可移动的掩膜板使成分1在基片表面形成数量梯度分布，然后反方向移动掩膜板使成分2形成反方向的数量梯度分布，然后让这两种成分在一个原胞的尺度内混合，即形成梯度组分薄膜。
1. 沉积腔体程序控制系统
2. 多靶材操作系统
3. 以半导体激光器来进行加热，基板可360度旋转与均匀受热
4. 扫描式双载台差分式电子枪
5. 双轴组合光罩定位装置
6. 加载互锁传送真空室
1. 真空度可达5.0E-9Torr以下
2. 6个1英寸靶位，可自转公转，来回摆动，360度自转与公转
3. 激光二极管基板加热温度可达到1100℃，精度在+/- 1℃，可加热10mmX10mm样品
4. 差分式电子枪可在100mTorr以上观察衍射图像
5. 双轴线性运动组合掩板定位系统,可程控长出2元、3元、准 4元薄膜，电机驱动，移动精度好于100μm
6. 传送真空室可存储2个样品及4个靶材，通过磁力传样杆线性传输样品和靶材至生长腔室
设备编号：combi-HR-2
利用高能脉冲激光，将靶材成分溅射到基片处进行外延生长。在生长过程中利用可移动的掩膜板，能够在一片基片上生长出连续梯度组分薄膜，大大提高了薄膜生长效率，更有利于新材料的探索与物性研究。
利用可移动的掩膜板使成分1在基片表面形成数量梯度分布，然后反方向移动掩膜板使成分2形成反方向的数量梯度分布，然后让这两种成分在一个原胞的尺度内混合，即形成梯度组分薄膜。
1. 沉积腔体程序控制系统
2. 多靶材操作系统
3. 以半导体激光器来进行加热，基板可360度旋转与均匀受热
4. 双轴组合光罩定位装置
5. 加载互锁传送真空室
1. 真空度可达5.0E-9Torr以下
2. 6个1英寸靶位，可自转公转，来回摆动，360度自转与公转
3. 激光二极管基板加热温度可达到1100℃，精度在+/- 1℃，可加热10mmX10mm样品
4. 双轴线性运动组合掩板定位系统,可程控长出2元、3元、准 4元薄膜，电机驱动，移动精度好于100μm
5. 传送真空室可存储2个样品及4个靶材，通过磁力传样杆线性传输样品和靶材至生长腔室
设备编号：combi-HR-3
利用高能脉冲激光，将靶材成分溅射到基片处进行外延生长。在生长过程中利用可移动的掩膜板，能够在一片基片上生长出连续梯度组分薄膜，大大提高了薄膜生长效率，更有利于新材料的探索与物性研究。
利用可移动的掩膜板使成分1在基片表面形成数量梯度分布，然后反方向移动掩膜板使成分2形成反方向的数量梯度分布，然后让这两种成分在一个原胞的尺度内混合，即形成梯度组分薄膜。
1. 沉积腔体程序控制系统
2. 多靶材操作系统
3. 以半导体激光器来进行加热，基板可360度旋转与均匀受热
4. 双轴组合光罩定位装置
5. 加载互锁传送真空室
1. 真空度可达5.0E-9Torr以下
2. 6个1英寸靶位，可自转公转，来回摆动，360度自转与公转
3. 激光二极管基板加热温度可达到1100℃，精度在+/- 1℃，可加热10mmX10mm样品
4. 双轴线性运动组合掩板定位系统,可程控长出2元、3元、准 4元薄膜，电机驱动，移动精度好于100μm
5. 传送真空室可存储2个样品及4个靶材，通过磁力传样杆线性传输样品和靶材至生长腔室
